Les propriétés du graphène en mille-feuille
(1)
Institut Jean Lamour, CNRS-Université de Nancy-UPV-Metz,
54506
Vandoeuvre-lès-Nancy
(2)
Synchrotron SOLEIL, L’Orme des Merisiers, Saint-Aubin,
91192
Gif-sur-Yvette
(3)
UR1 CNRS/Synchrotron SOLEIL, Saint-Aubin, 91192
Gif-sur-Yvette
(4)
Institut Néel, CNRS-Université Joseph Fourier,
BP 166,
38042
Grenoble
(5)
The Georgia Institute of Technology, Atlanta, Georgia
30332-0430,
USA
La croissance de graphène sur du carbure de silicium SiC est compatible avec les technologies de lithographie existantes, et donc avec le développement de dispositifs où le silicium atteint ses limites.
Le mode de croissance du graphène est très différent suivant qu’il croît sur la face silicium ou sur la face carbone du SiC : alors que l’empilement des couches de graphène sur la face silicium est graphitique, les couches sur la face carbone présentent un empilement rotationnel particulier, non graphitique. Ceci leur confère des propriétés originales, similaires à celles de couches de graphène isolées, comme nous l’avons en effet observé de manière directe, par photoémission à haute résolution
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